工藝介紹 （光盤資料）

CZ直拉硅單晶是一項系統(tǒng)工程，不僅需要對拉晶本身的設(shè)備衛(wèi)檢、冷檢、熔料、穩(wěn)定、引晶、放肩、等徑、收尾、冷卻過程工藝要全面把握，而且也離不開對硅料的分選，清洗、配料、摻雜、熱場、坩堝、機械設(shè)備、控制系統(tǒng)等因素的綜合把握，任何一個環(huán)節(jié)和能力的缺失，都無法保證產(chǎn)品的質(zhì)量和產(chǎn)量。

本直拉硅單晶完整制備工藝光盤資料將系統(tǒng)地對上述各個方面進行從原理到實際操作進行全面的深入淺出的分析闡述，是一份不可多得的硅單晶制備工藝資料。

同時本公司可針對用戶實際生產(chǎn)中存在的問題及新上項目，提供技術(shù)咨詢及整體解決方案服務(wù)。



包含工藝

■ 從概念理論到實際操作、從發(fā)現(xiàn)問題到解決方案工藝過程、從數(shù)據(jù)公式到表格配方等多方面進行闡述分析直拉單晶工藝；
■ 各種硅料的清洗；
■ 各種硅料的初選及復(fù)選；
■ 拉晶過程的全面闡述；
■ 單晶硅的電阻率和摻雜計算；
■ 拉晶過程中的異常情況及其處理；
■ 硅料的檢測分選；
■ 重摻、型號、電阻率檢測；
■ 氧碳檢測；
■ 少子壽命檢測；
■ 硅片硅棒其他檢測；
■ 高純水制備、高純氬氣純化；
■ 石墨熱場、石英坩堝、籽晶；
■ 切斷、滾磨和打磨定位面；
■ 直拉單晶常用數(shù)據(jù)、公式、表格；
■ 其他......



推薦光盤運行環(huán)境

■ CPU：P3同類檔次或更高檔次以上。
■ 內(nèi)存： 256M以上內(nèi)存。
■ 硬盤空間： 10G以上均可。
■ 顯示器： VGA或更高分辨率，建議分辨率為 1024x768像素。
■ 操作系統(tǒng): Microsoft Windows 2000/XP/Vistas